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IMEC和Veeco协作力求下降GaN-on-Si生产成本

  IMEC和Veeco协作力求下降GaN-on-Si生产成本

  比利时纳米电子研讨中心IMEC与Veeco正在进行项目协作,旨在下降出产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器材和LED的本钱。

  IMEC的首席科学家Barun Dutta评论说,Veeco MOCVD设备的出产力,可重复性,均匀性和晶体质量为咱们在硅基氮化镓和LED使用的开展里程碑上起到了重要作用。启用该设备功能外延现已协助咱们完成最先进的D-形式(耗尽形式)和E-形式(增强形式)功率器材。咱们的方针是树立一个完好的出产基础设施,使硅基氮化镓成为具有竞争力的技能。

  IMEC的多元同伴硅基氮化镓的研讨和开展计划,积累业界共同开发世界级的氮化镓LED及兼容200nm的CMOS基础设施的200nm硅衬底功率器材。经过与IMEC联手,公司同享本钱、人才和知识产权,以开发先进技能,将它们更快地推向市场。

  Veeco高档副总裁兼总经理,Jim Jenson,评论说,2011年以来,咱们一向就这个项目与IMEC协作,并遭到本身前进的鼓舞。咱们的协作是互惠互利的,由于咱们都专心于能够完成更低的本钱,第三代LED卡片灯!一起坚持硅基氮化镓器材的一流功能。这种技能能够用于完成较低的本钱,使固态照明,更高效的电源设备适用于多种使用,如电源及适配器,光伏逆变器的太阳能电池板,和用于电动车的功率变换。

  

   GaNLEDMOCVD